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中国存储芯片打破韩美日垄断局面迈出坚实一步
发布时间:2021-09-09

  当前全球存储芯片主要为韩美日三国所占有,中国的三大存储芯片企业长江存储、合肥长鑫、福建晋华近期纷纷开始安装机台预计今年下半年投产存储芯片,这将有望打破韩美日垄断存储芯片的局面。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。

  存储芯片主要有NAND flash、DRAM,在全球NAND flash市场份额前五名分别为三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士,市场份额分别为38.0%、17.1%、16.1%、11.5%、11.1%;在DRAM市场份额前三名分别为三星、SK海力士、美光,市场份额分别为45%、28%、21%。

  由上可见,全球存储芯片一哥无疑是三星,其在NAND flash和DRAM市场均占据优势的市场份额,而按国家来说韩国是全球存储芯片的龙头,拥有三星和SK海力士两大存储芯片企业。

  中国是全球最大制造国,对存储芯片有巨大需求,中国采购的存储芯片占全球约两成比例,近两年全球存储芯片价格持续上涨对中国产生了巨大影响,导致本来就利润微薄的行业饱受其苦,要打破这种局面发展自己的存储芯片无疑是最好的办法,正是在这种背景下,中国开始积极发展自己的存储芯片产业。

  长江存储、合肥长鑫、福建晋华担起了这个重任,长江存储主要发展NAND flash,合肥长鑫和福建晋华主要发展DRAM,三家企业在去年底实现了厂房封顶,近期开始陆续搬入机台等生产设备,按计划它们今年下半年将开始试产存储芯片。

  当然中国的存储芯片企业在投产后还需要在技术方面追赶韩美日等存储芯片企业,长江存储当下准备投产的为32层NAND flash而韩国三星去年就开始大规模投产64层NAND flash,长江存储希望在未来两三年实现64层NAND flash的技术突破,将技术差距缩短到两年内。

  合肥长鑫、福建晋华计划投产DRAM,韩国三星当下已开始采用18nm工艺生产DRAM,并正研发更先进的生产工艺,合肥长鑫和福建晋华在投产后预计在工艺方面较这些存储芯片巨头还有较大差距,在正式投产后还将面临着良率问题等,需要时间。

  值得注意的是,北京兆易创新公司在DRAM技术上取得了突破,其也与合肥市产业投资控股集团达成了合作协议,计划投资180亿元,采用19nm工艺生产存储芯片,预计今年底前投产,不过它表示希望今年能实现产品良率达到10%,这说明生产存储芯片面临着不少的技术难题,只是良率方面就是一个相当大的难题。

  对于中国庞大的制造业来说,即使中国存储芯片企业初期在技术方面稍为落后,但是这里对低端存储芯片依然有强烈需求,这为中国存储芯片企业提供了生存发展机会,它们总有赶上韩美日存储芯片企业的一天,中国的许多产业不就是从低端做起,从无到有,从有再到强的发展过程么?

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  今年下半年在笔电及平板、游戏机、WiFi网通设备等宅经济商机持续,自12月开始,DRAM需求由淡转旺,研调机构集邦科技(TrendForce)统计,12月以来,存储器综合价格指数(DXI)窜升26%,显示DRAM现货市场畅旺。新冠肺炎到年底尚未缓和,包括笔电、网通相关应用、数字TV、机顶盒等需求持续升温,DRAM采购量大增。美光桃园厂跳电意外,更让DRAM现货价提前于12月开始涨价。市场用以观察DRAM现货市场动态的DXI指数,是由主流DRAM出货量及现货价统计出的指数。集邦科技统计,12月来DXI攀升幅度达26%,DRAM现货市场畅旺。展望明年,集邦科技预期第1季因市场供需趋于健康,DRAM合约价将止跌回稳,可能微幅上涨,都有

  新冠肺炎疫情出现新变数,宅经济持续,带动相关DRAM采购量大增,业内人士看好DRAM报价开始呈现向上循环,其中以Consumer DRAM最为正面,推估明年全年报价将反弹25-30%,预期DRAM厂南亚科明年获利有望大增三成以上。研调机构集邦科技旗下半导体研究处指出,DRAM库存已经过两季以上修正,明年第1季买方将提高库库存水位。12月中旬Consumer DRAM现货价已开始反弹,业内人士预估明年第1季合约价将同步跟上,看好2021全年报价将反弹约25-30%。DRAM涨势确立,存储器大厂美光也调高财测,对 DRAM展望乐观,包括华邦电、威刚、钰创、力积电等业者也持相同看法,存储器产业可望在明年第1季提前落底,明年下半年好转

  S5PV210有两个独立的DRAM控制器,分别是DMC0和DMC1,其中,DMC0最大支持512MByte,DMC1最大支持1GByte,而DMC0和DMC1又同时支持两个片选CS0和CS1。S5PV210的内存模块相比2440和6410来讲要更加复杂一些,要想正确的配置S5PV210的内存,应该仔细阅读芯片手册相关部分,在配置参数时也应该适当的阅读下内存芯片的手册。这部分的寄存器和配置过程比较复杂(但是不难),我只简单的讲一下我配置时遇到的问题。一 接线bits的内存芯片,从原理图上可以看到,其中4片并联接在DMC0上,另外四片并联在DMC1上,这里我只贴出一个链接方式

  DRAM是我们每天都会打交道的存储之一,可能大家对DRAM缩写较为陌生,翻译成中文便是动态随机存取存储器。为增进大家对DRAM的了解,本文将对DRAM工作原理以及DRAM和NAND之间的区别加以介绍。如果你对DARM具有兴趣,不妨继续往下阅读哦。 下面就DRAM与NAND在工作原理上做比

  、NAND的本质区别 /

  为了满足高性能或满足人工智能(AI)需求,新型内存不断涌现,虽然理论上表明,更大的内存有助于AI性能的释放,但那些传统内存难道就无法满足高性能应用了吗?起码在某些边缘AI的设备来说,并非如此。华邦电子公司的1Gb LPDDR3 DRAM就是一个很好的应用案例,人工智能初创公司Kneron已经将其应用在最新的SoC系统KL720上。它是该公司提供的几种用于各种边缘设备的SOC之一,包括电池驱动的应用程序,如智能锁和无人机,它利用了华邦的512Mb LPDDR2。通过在KL720 SoC中使用华邦的LPDDR3, Kneron希望为AI和机器学习技术支持一套新的低功耗/高性能应用程序。华邦DRAM

  更能满足边缘AI需求 /

  存储器想必大家已经非常熟悉了,大到物联网服务器终端,小到我们日常应用的手机、电脑等电子设备,都离不开它。作为计算机的“记忆”装置,其主要功能是存放程序和数据。一般来说,存储器可分为两类:易失性存储器和非易失性存储器。其中,“易失性存储器”是指断电以后,内存信息流失的存储器,例如 DRAM(动态随机存取存储器),包括电脑中的内存条。而“非失性存储器”是指断电之后,内存信息仍然存在的存储器,主要有 NOR Flash 和 NAND Flash 两种。存储器的发展趋势存储器作为电子元器件的重要组成部分,在半导体产品中占有很大比例。根据 IC Insights 统计,即使全球市场持续受到 COVID-19 的影响

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